制造商:Central Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DPAK-3
晶体管极性:PNP
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V
集电极—基极电压 VCBO:300 V
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
集电极—射极饱和电压:2.6 V
最大直流电集电极电流:750 mA
增益带宽产品fT:10 MHz
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:CJD350
直流电流增益 hFE 最大值:240 at 50 mA, 10 V
封装:Reel
商标:Central Semiconductor
集电极连续电流:500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min:30 at 50 mA, 10 V
Pd-功率耗散:15 W
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:2500
子类别:Transistors